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IRFI820A	文件：229.29 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):2.000Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI820B	文件：649.33 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI820G	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820G	文件：279.16 Kbytes Page：6 Pages	HexfetPowermosfet	IRF International Rectifier	IRF
IRFI820G	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820GPBF	文件：1.79738 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI820GPBF	文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS820	文件：270.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS820	文件：318.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS820A	文件：263.04 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=500V ■LowerRDS(ON):2.000(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF820APBF其他被动元件	VISHAY/威世	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF820APBL	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF820APBL	IR	23+		7000		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRF820AS	IR	2015+	D2-Pak	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRF820AS	IR	24+	D2-Pak	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRF820AS	IR	23+	D2-Pak	11087	全新原装	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF820AS	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRF820AS	IR	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF820AS	FUJITSU/富士通	23+	TO-220F	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
艾睿国际（香港）有限公司	IRF820AS	IR	2447	D2-PAK	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

更多IRF820APBF其他被动元件供应商更新时间2025-5-16 9:12:00

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