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IRFBC20	文件：171.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20	文件：4.62363 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFBC20	文件：599.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20	文件：328.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBC20	文件：1.65144 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20	文件：2.10734 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20_V01	文件：599.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20L	文件：355.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC20L	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount(IRFBC20S,SiHFBC20S) •Low-profilethrough-hole(IRFBC20L,SiHFBC20L) •Availableintapeandreel(IRFBC20,SiiHFBC20S) •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC20LPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdgenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableoftheaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFBC20
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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