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IRFBC20	文件：599.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：599.86 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC20	文件：171.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) 文件：171.92 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFBC20	文件：4.62363 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation 文件：4.62363 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFBC20	文件：328.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.39 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBC20	文件：2.10734 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.10734 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC20	文件：1.65144 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.65144 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC20_V01	文件：599.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：599.86 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC20L	文件：355.61 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：355.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC20L	文件：310.72 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount (IRFBC20S, SiHFBC20S) • Low-profile through-hole (IRFBC20L, SiHFBC20L) • Available in tape and reel (IRFBC20, SiiHFBC20S) • Dynamic dV/dt rating • 150 °C operating temperature • Fast switching • Fully avalanche rated • Material categorization: for definitions of co 文件：310.72 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC20LPBF	文件：381.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. It 文件：381.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFBC20
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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