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IRFD110PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinat

文件:132.41 Kbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFD110PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:1.78348 Mbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFD110PBF

Power MOSFET

文件:156.17 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFD110PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    100V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    540 mΩ @ 600mA,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    1.3W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
25+
DIP-4
20540
保证进口原装现货假一赔十
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VISHAY
25+
DIP-4
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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VISHAY/威世
24+
DIP-4
10000
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买
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VISHAY/威世
25+
DIP-4
32360
VISHAY/威世全新特价IRFD110PBF即刻询购立享优惠#长期有货
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VISHAY
23+
DIP-4
65400
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VISHAY/威世
2021+
DIP-4
12000
勤思达 只做原装 现货库存
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VISHAY
22+
原厂封装
15850
原装正品,实单请联系
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VISHAY/威世
2021+
DIP-4
9000
原装现货,随时欢迎询价
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VISHAY/威世
23+/24+
DIP-4
9865
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税
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VISHAY
2025+
N/A
70000
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更多IRFD110PBF供应商 更新时间2026-4-18 16:30:00