| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
876 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
11年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
6885 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
15年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
||||
|
17年
留言
|
VISHAYQFN |
102 |
24+ |
||||
|
4年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
|
3年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
11800 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
|
5年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
6500 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
6年
留言
|
SIQFN-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
6年
留言
|
SIQFN-8 |
162 |
23+ |
||||
|
6年
留言
|
SIQFN-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
5年
留言
|
SIQFN-8 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
15年
留言
|
VISHAYna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
7年
留言
|
VISHAYQFN8 |
408 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
12年
留言
|
VISHAYQFN |
250 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
16年
留言
|
VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
|
12年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
8850 |
2517+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
|
11年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
6年
留言
|
NICHICON/尼吉康NA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
3年
留言
|
VISHAYQFN8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保证 |
|||
|
6年
留言
|
VISHAY-威世QFN-8.贴片 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
SI7945DP采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7945DP图片
SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE价格
SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE价格:¥12.5858品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE多少钱,想知道SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE价格是多少?参考价:¥12.5858。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE批发价格及采购报价,SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE销售排行榜及行情走势,SI7945DP-T1-E3-CUTTAPE报价。
SI7945DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7945DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI7945DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI7945DP-T1-E3功能描述:MOSFET DUAL P-CH 30V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7945DP-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual P-Ch 30V 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























