| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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58315 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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42000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
QFN8 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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VISHAYQFN-8 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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VISHAYQFN3.3X3. |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
6000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK 1212-8 |
59515 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN |
6264 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市博亿诚科技有限公司2年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
3000 |
20+ |
普通 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
8548 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISQFN8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYQFN8 |
74 |
05+ |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VISHAY/威世DFN |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世DFN3.33.3C-8-EP |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
SI7922DN采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7922DN图片
SI7922DN-T1-E3价格
SI7922DN-T1-E3价格：￥4.2738品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7922DN-T1-E3多少钱，想知道SI7922DN-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.2738。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7922DN-T1-E3批发价格及采购报价，SI7922DN-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI7922DN-T1-E3报价。
SI7922DN中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7922DN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET DUAL NN POWERPAK 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, DUAL, NN, POWERPAK
SI7922DN_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7922DN_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7922DN-T1-E3功能描述:MOSFET DUAL N-CH 100V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7922DN-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V 195 mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
