| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
 |
VISHAYN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
 |
VISHAYN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
4年
留言
|
 |
VISHAY威世QFN-8 |
12000 |
24+ |
进口原装 价格优势 |
||
|
6年
留言
|
VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8-Dual |
9908 |
24+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
13年
留言
|
VISHAYQFN8 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
|||
|
13年
留言
|
VISHAYPowerPAKS |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
15年
留言
|
 |
VISHAY/威世SO-8 |
20300 |
25+ |
|
VISHAY/威世原装特价Si7942DP即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
7年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
11048 |
24+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
|
16年
留言
|
VISHAYQFN |
107 |
05/06+ |
全新原装100真实现货供应 |
|||
|
15年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
||||
|
6年
留言
|
Vishay(威世)NA/ |
7350 |
24+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
3年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
11800 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
|
4年
留言
|
VISHAY/威世DFN56E-8-EP |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
|
3年
留言
|
SIQFN-8 |
60000 |
24+ |
||||
|
17年
留言
|
SISO-8 |
2508 |
24+ |
||||
|
5年
留言
|
SIQFN-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
5年
留言
|
SIQFN-8 |
1905 |
23+ |
||||
|
7年
留言
|
SINA/ |
5155 |
24+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
5年
留言
|
SIQFN-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
7年
留言
|
Vishay(威世)N/A |
11800 |
24+ |
可配单提供样品 |
SI7942DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7942DP图片
SI7942DP-T1-GE3价格
SI7942DP-T1-GE3价格：￥6.6521品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7942DP-T1-GE3多少钱，想知道SI7942DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥6.6521。这里提供2025年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7942DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7942DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7942DP-T1-GE3报价。
SI7942DP中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7942DP-T1功能描述:MOSFET 100V N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7942DP-T1-E3功能描述:MOSFET 100V N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7942DP-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7942DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
SI7942DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 100-V(D-S) MOSFET
