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IRFBC40	文件：92.75 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY™process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=1.0Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■100A	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRFBC40	文件：55.08 Kbytes Page：7 Pages	6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFBC40	文件：97.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRFBC40	文件：66.91 Kbytes Page：7 Pages	6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors. Features •6.2Aand5.4A,600V •rDS(ON)=1.2Ωand1.6Ω •RepetitiveAvalancheEnergyRated •SimpleDriveRequirements •EaseofParalleling •RelatedLiterature -TB334,“Guidelinesf	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFBC40	文件：2.98806 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFBC40	文件：301.07 Kbytes Page：20 Pages	CURRENT-MODE-PWM CONTROLLER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IRFBC40	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFBC40	文件：641.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40	文件：590.8 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBC40	文件：328.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFBC40
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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