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IRFD9020	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020	文件：442.11 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET®TRANSISTORSPCHANNELHEXDIP™ 1-WATTRATEDPOWERMOSFETsINA4-PIN,DUAL-IN-LINEPACKAGE	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9020	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020_V01	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020PBF	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020PBF	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020_17	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020PBF	文件：265.55 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFD9020
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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