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IRFBC40S	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40S	文件：350.66 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. 文件：350.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC40SPBF	文件：360.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. 文件：360.09 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC40SPBF	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40STRL	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40STRLPBF	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40_V01	文件：641.86 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：641.86 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40A	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBC40A	文件：151.08 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：151.08 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40A	文件：284.71 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：284.71 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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详细参数

型号：
IRFBC40
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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