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IRFD110	文件：174.72 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110	文件：52.55 Kbytes Page：6 Pages	1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD110	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°COperatingTemperature •Fastswitchingandeaseofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110_V01	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°COperatingTemperature •Fastswitchingandeaseofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110PBF	文件：1.78348 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110PBF	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110PBF	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE110	文件：199.53 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFD110
功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFD110供应商更新时间2025-5-22 11:15:00

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