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IRFD110规格书详情
描述 Description
技术参数
- 型号：
IRFD110
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
DIP-4 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP |
3680 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
DIP4 |
185 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FUJI |
03+ |
TO-3P |
995300 |
原装现货价格优势-含16%增值税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
16892 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VS |
23+ |
DIP |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
VISHAY |
DIP4 |
6688 |
15 |
现货库存 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP-4 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
DIP |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 |
