IRFBG20中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRFBG20规格书详情
特性 Features
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
技术参数
- 型号:
IRFBG20
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR/国际整流器 |
24+ |
TO-220 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
10000 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220 |
3000 |
原装正品 |
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IR |
24+ |
TO-220 |
65 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR/国际整流器 |
23+ |
TO-220 |
12800 |
正规渠道,只有原装! |
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Infineon(英飞凌) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50片/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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IR/VISHAY |
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TO-220 |
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