IRFBE20中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRFBE20规格书详情
特性 Features
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
技术参数
- 型号：
IRFBE20
- 功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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