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深圳市赛美科科技有限公司

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IRTO-263

68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市一线半导体有限公司

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IRD2-Pak

8866

24+

深圳市华来深电子有限公司

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IRTO-263

11846

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深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAYTO-263

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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芯有半导体（深圳）有限公司

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IRFBC30AS

INTERNATIONA原厂原装

5791

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC30AS

Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

22+

原厂渠道,现货配单

上海磐岳电子有限公司

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IRTO-263

5800

2023+

进口原装,现货热卖

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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4675

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全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市柯尔基电子有限公司

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IRTO-263

59630

23+24

主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管

深圳市胜彬电子有限公司

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IRFBC30AS

IRD2-PAK

8000

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRFBC30AS

IRTO-263-2

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IRNA

4500

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRD2-PAK

12888

2022+

原厂代理 终端免费提供样品

深圳市科雨电子有限公司

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IRFBC30AS

IRTO-263-2

292

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC30AS

IRTO-263

6000

22+

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRFBC30AS

IRTO-263

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市英科美电子有限公司

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IRFBC30AS

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26800

2223+

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深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRFBC30AS

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IRFBC30ASPBF价格

IRFBC30ASPBF价格：￥4.5114品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBC30ASPBF多少钱，想知道IRFBC30ASPBF价格是多少？参考价：￥4.5114。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC30ASPBF批发价格及采购报价，IRFBC30ASPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC30ASPBF报价。

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IRFBC30AS功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRR功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC30ASTRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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