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IRFBC30AS	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30AS	文件：147.97 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterrupt 文件：147.97 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC30AS	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET 文件：275.86 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30AS	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：850.72 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ASTRLPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ASTRRPBFA	文件：274.61 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFETs FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to Ro 文件：274.61 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30AS_V01	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET 文件：275.86 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：275.86 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET 文件：275.86 Kbytes 页数：12 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBC30ASPBF	文件：850.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：850.72 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC30AS
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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