| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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IRDIP-4 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFD120,IRFD120PBF欢迎咨询洽谈。 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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IRDIP |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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VSDIP |
6500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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14年
留言
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VISHAYHVMDIP |
20000 |
24+ |
原装正品支持实单 |
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10年
留言
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VISHAY/威世DIP-4 |
8750 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAY/威世 |
4316 |
24+ |
全新原装正品现货可开票 |
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16年
留言
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VISHAYDIP-4 |
65400 |
23+ |
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14年
留言
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VISHAYHVMDIP |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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12年
留言
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VISHAY原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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7年
留言
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IRDIP-4 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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13年
留言
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VISHAY/威世DIP-4 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销中高压MOS管 |
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2年
留言
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VISHAYDIP-4 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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11年
留言
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VISHAY/威世DIP-4 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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3年
留言
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VISHAY/威世DIP4 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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18年
留言
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VISHAY/威世DIP-4 |
360000 |
21+22+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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2年
留言
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VISHAY |
331500 |
21+/22+ |
HVMDIP-4 (HEXDIP-4) |
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10年
留言
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VISHAY原厂原装 |
11300 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
IRFD120采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFD120图片
IRFD120PBF价格
IRFD120PBF价格:¥1.6153品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFD120PBF多少钱,想知道IRFD120PBF价格是多少?参考价:¥1.6153。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFD120PBF批发价格及采购报价,IRFD120PBF销售排行榜及行情走势,IRFD120PBF报价。
IRFD120PBF资讯
IRFD120PBF IRFH5301TRPBF IRFH8318TRPBF IRFL014NTRPBF IRFL024NTRPBF IRFL9014TRPBF IRFP064NPBF IRFP1405PBF IRFBG30PBF IRFP150MPBF IRFBE30PBF IRFP22N50APBF IRFP240PBF IRFP250MPBF IRFP250NPBF IRFP260MPBF IRFP260NPBF IRFP264PBF IRFP2907PBF IRFS4227TRLPBF IRFP1
本公司 只做原装。欢迎新老客户来电咨询并与我们建立长期友好的合作关系!
IRFD120
型号:IRFD120 品牌: VISHAY 描述:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP 数据列表:IRFD120 标准包装:2,500 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 单路 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:Standard
IRFD120PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFD120功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFD120PBF功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFD120S2497制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk































