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IRFD120	文件：52.27 Kbytes Page：6 Pages	1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD120	文件：176.8 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27ohm, Id=1.3A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip	IRF International Rectifier	IRF
IRFD120	文件：91.26 Kbytes Page：7 Pages	1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFD120	文件：360.08 Kbytes Page：6 Pages	1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregul	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD120	文件：1.73217 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecomb	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD120	文件：935 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD120	文件：1.83877 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD120_V01	文件：935 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD120PBF	文件：1.80106 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4-pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultip	IRF International Rectifier	IRF
IRFD120_17	文件：1.83877 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFD120
功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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