IRFD120数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRFD120
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13 |
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询价 | ||
ON |
23+ |
DIP |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INTERSIL |
24+ |
SSOP |
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IR |
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DIP-4 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
DIP-4 |
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原厂原装 |
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IR |
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DIP4 |
10 |
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IOR |
25+ |
DIP4 |
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VISHAY/威世 |
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DIP-4 |
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Vishay(威世) |
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NA |
20094 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
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