IRFD010中文资料HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号:
IRFD010
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
24+ |
DIP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IR |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
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DIP-4 |
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IR |
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DIP-4 |
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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雷达 |
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DIP-4 |
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IR |
24+ |
DIP-4 |
5183 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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IR |
24+ |
DIP-4 |
60000 |
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IR |
23+ |
DIP-4P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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