| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
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18年
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VISHAY/威世TO-220 |
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4年
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VISHAYTO220 |
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7年
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VISHAY/威世TO220 |
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原装进口价格优 请找坤融电子! |
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15年
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2年
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VISHAY |
5800 |
20+ |
TO-220-3 |
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3年
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VISHAY/威世TO-220 |
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15年
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18年
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IR |
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原装正品现货库存价优 |
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6年
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IRTO-220 |
281 |
23+ |
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5年
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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10年
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INTERNATIONA原厂封装 |
9888 |
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专做原装正品,假一罚百! |
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16年
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IRTO-220 |
3557 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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10年
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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14年
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8年
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原装正品假一罚百!可开增票! |
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13年
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IRTO-220 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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13年
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ir原装 |
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原装现货,可开13%税票 |
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IRFBF30图片
IRFBF30PBF价格
IRFBF30PBF价格：￥4.7449品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBF30PBF多少钱，想知道IRFBF30PBF价格是多少？参考价：￥4.7449。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBF30PBF批发价格及采购报价，IRFBF30PBF销售排行榜及行情走势，IRFBF30PBF报价。
IRFBF30中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBF30功能描述:MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30L功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBF30PBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRL功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBF30STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF30STRR功能描述:MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
