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IRFBF30	文件：166.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=3.6A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •	IRF International Rectifier	IRF
IRFBF30	文件：1.0102 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversiallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationle	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF30	文件：1.03881 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversiallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationle	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF30	文件：260.74 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF30	文件：329.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFBF30L	文件：1.03881 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversiallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationle	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF30PBF	文件：245.38 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •	IRF International Rectifier	IRF
IRFBF30PBF	文件：1.0102 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversiallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationle	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBF30S	文件：267.41 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)packageisuniversiallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFBF30
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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