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IRFD110数据手册Vishay中文资料规格书

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厂商型号

IRFD110

功能描述

Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-15 22:50:00

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IRFD110规格书详情

特性 Features

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• For automatic insertion



技术参数

  • 型号:

    IRFD110

  • 功能描述:

    MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
DIP-4
6500
全新原装假一赔十
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IR
24+
DIP-4
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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IR
22+23+
DIP
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新到现货,只做原装进口
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24+
CDIP4
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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VISHAY/威世
23+
DIP4
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原厂原装
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