IRFD110中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRFD110规格书详情
特性 Features
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• For automatic insertion
技术参数
- 型号：
IRFD110
- 功能描述：
MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
DIP4 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
25+ |
DIP4 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
24+ |
DIP-4 |
1000 |
询价 | ||||
IRFD110 |
1850 |
1850 |
询价 | ||||
IR |
25+ |
PLCC44 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IR(国际整流器) |
24+ |
N/A |
18048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
HARRIS |
新 |
67 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
DIP |
3680 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
