型号：IRFD120
品牌： VISHAY
描述：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
数据列表：IRFD120
标准包装：2,500
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单路
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：Standard
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 780mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)：360pF @ 25V
功率最大：1.3W
安装类型：通孔
封装/外壳： 4-DIP（0.300", 7.62mm）
供应商设备封装： 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包装：管件
其它名称：IRFD120PBF
封装：DIP4
数量：20000
单价：面议
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