型号：IRF140STR
描述 MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
RoHSS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss) :55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 131A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.3 毫欧 @ 101A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:480pF @ 25V
功率最大:200W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：D2PAK
标准包装：800
包装：盘装
其它名称：IRF1405S
数量：20000
单价：面议
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