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上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）

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IRFBC40L

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3000

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进口原装现货

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRFBC40L

IRTO-262

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市勤思达科技有限公司

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IRFBC40L

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12500

2015+

全新原装,现货库存长期供应

深圳市赛美科科技有限公司

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68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市威尔健半导体有限公司

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50

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深圳市能元时代电子有限公司

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IRFBC40L

IRTO220

12800

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO220

8000

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只做原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRFBC40L

IRTO220

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市一线半导体有限公司

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710

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC40L

Vishay SiliconixTO2623 Long Leads I2Pak TO262A

9000

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原厂渠道,现货配单

京海半导体(深圳)有限公司

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IRFBC40L

IRTO-220

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IRFBC40L

IRSOT-2587&NBS

4500

24+

只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

瀚佳科技(深圳)有限公司

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IRFBC40L

IR/VISH

65230

24+

深圳市科雨电子有限公司

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IRFBC40L

VISHAYTO-262

3000

25+

就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC40L

IRTO-262

6000

22+

终端可免费供样,支持BOM配单

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRFBC40L

IRTO220

50

23+

全新原装正品现货,支持订货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRFBC40L

IRTO220

7000

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深圳市晨豪科技有限公司

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IRFBC40L

INFINEON/英飞凌TO-220

89630

23+

当天发货全新原装现货

深圳市弘为电子有限公司

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IRFBC40L

IR原厂封装

404

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原装现货假一罚十

深圳市宸远科技有限公司

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IRFBC40L

IR/VISH全新原装

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IRFBC40LCPBF价格

IRFBC40LCPBF价格：￥5.8356品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBC40LCPBF多少钱，想知道IRFBC40LCPBF价格是多少？参考价：￥5.8356。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC40LCPBF批发价格及采购报价，IRFBC40LCPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC40LCPBF报价。

IRFBC40L中文资料Alldatasheet PDF

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IRFBC40L功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LC功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCS功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBC40LCSPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCSTRL功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBC40LCSTRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBC40LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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