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IRFBC40L	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFBC40L	文件：350.66 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. 文件：350.66 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC40L	文件：366.87 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：366.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBC40L	文件：328.07 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：328.07 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFBC40LC	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements 文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFBC40LC	文件：176.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET HEXFET Power MOSFET(Vdss=600V/ Rds(on)=1.2ohm/ Id=6.2A) 文件：176.22 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBC40LCPBF	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements 文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFBC40LPBF	文件：984.33 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of the accommodating die sizes up to HEX-4. It provi 文件：984.33 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFBC40LPBF	文件：360.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Third generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2Pak is a surface mount power package capable ofthe accommodatingdie sizes up to HEX-4. 文件：360.09 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFBC40LC	文件：285.8 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：285.8 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC40L
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBC40L供应商更新时间2025-11-21 16:30:00

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