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IRFD120	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-4	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR
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IRFD120PBFMOS(场效应管)	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-4	IR 国际整流器上传：深圳台格电子科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFBF20STRLPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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