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IRFH5010TRPBF

HEXFET Power MOSFET

Features and Benefits Features Low RDSon (

文件:306.77 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

ISS5010

isc Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multi-layer Metal -Silicon Potential Structure ·Low Leakage Current ·High Current Capability, High Efficiency ·High Junction Temperature Capability

文件:277 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

JETNET5010G

Industrial 73G Gigabit Managed Ethernet Switch

文件:1.51012 Mbytes 页数:9 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

KBJ5010

Single-Phase Bridge Rectifier, 50A

文件:1.14207 Mbytes 页数:3 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFH5010TRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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PQFN 5mmx6mm
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24+
PQFN-8(5x6)
10613
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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更多IRFH5010TRPBF供应商 更新时间2025-12-24 14:08:00