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IRFDC20PBF

Power MOSFET

VDS (V) 600 RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 4.4 Qg (Max.) (nC) 18 Qgs (nC) 3.0 Qgd (nC) 8.9 Configuration Single DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness

文件:1.06558 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFDC20PBF

Power MOSFET

文件:413.4 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFH4253DTRPBF

PQFN

INFINEON/英飞凌

IRFH5007TRPBF

QFN

IR

国际整流器

上传:深圳市宝隆宏业科技有限公司

IRFH5007TRPBF

QFN

IR/INFINEON

详细参数

  • 型号:

    IRFDC20PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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VishayIR
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更多IRFDC20PBF供应商 更新时间2026-1-21 16:30:00