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IRFDC20PBF	文件：1.06558 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)600 RDS(on)(Ω)VGS=10V4.4 Qg(Max.)(nC)18 Qgs(nC)3.0 Qgd(nC)8.9 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFDC20PBF

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Power MOSFET

VDS(V)600 RDS(on)(Ω)VGS=10V4.4 Qg(Max.)(nC)18 Qgs(nC)3.0 Qgd(nC)8.9 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness

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IRFDC20PBF

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详细参数

型号：
IRFDC20PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 0.32 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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