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IRFF9230	文件：328.01 Kbytes Page：7 Pages	-4.0A, -200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9230	文件：16.69 Kbytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9230	文件：115.08 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated P-Channel Power MOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8Ω,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：109.31 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRFF9230
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 200V 4A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
200V SINGLE P-CHANNEL HI-REL MOSFET
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -200V 4A TO-205AF
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 4A, TO-205AF
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 4A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-4A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
800mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

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