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IRFD9110	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFD9110	文件：54.38 Kbytes Page：6 Pages	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
IRFD9110	文件：93.95 Kbytes Page：7 Pages	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFD9110	文件：342.88 Kbytes Page：6 Pages	-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs Description TheseareP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Features •-0.6Aand-07A,-80Vand-100V •rDS(ON)=	HARRIS HARRIS corporation
IRFD9110	文件：218.22 Kbytes Page：6 Pages	1-WATT RATED POWER MOSFETs HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •Fastswitching •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110_V01	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •Fastswitching •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110PBF	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110_17	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFD9110PBF	文件：1.79065 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFD9110PBF	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
9110	文件：127.36 Kbytes Page：1 Pages	SHIELDEDADJUSTABLERFCOILS [J.W.MILLER]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
9110	文件：726.58 Kbytes Page：1 Pages	Multi-Range60VDCPowerSupplies	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司
9110	文件：268.73 Kbytes Page：1 Pages	ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES [KEYSTONE] ROUNDINSTRUMENTATIONHANDLES FERRULES HANDLEMOUNTINGSCREWS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
9110	文件：117.9 Kbytes Page：1 Pages	ReleasableTypeTRivets	Heyco Heyco
ADS9110	文件：2.80359 Mbytes Page：70 Pages	Low-Noise,Precision,150-MHz,FullyDifferentialAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS9110	文件：1.2575 Mbytes Page：62 Pages	18-Bit,2-MSPS,15-mW,SARADC	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
ADS9110IRGER	文件：1.2575 Mbytes Page：62 Pages	18-Bit,2-MSPS,15-mW,SARADC	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)

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详细参数

型号：
IRFD9110
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市深创辉科技有限公司	IRFD9110	IR			270	原装正品现货供应	询价
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