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IRFD9024	文件：178.64 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A) Vdss=-60V Rds(on)=0.28Ω Id=-1.6A	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9024	文件：1.70966 Mbytes Page：9 Pages	Repetitive Avalanche Rated	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9024_V01	文件：831.83 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9024PBF	文件：1.81752 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Vdss=-60V Rds(on)=0.28Ω Id=-1.6A *Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9024	文件：137.63 Kbytes Page：7 Pages	60V,P-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9024	文件：140.91 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9024	文件：135.6 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORS	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9024	文件：16.66 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF9024	文件：139.08 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9024	文件：173.92 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-60V,Rds(on)=0.28ohm,Id=-8.8A) Description ThirdGenerationHEXFETsMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR9024) •St	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFD9024
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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