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IRFH5302PBF	文件：784.89 Kbytes Page：10 Pages	OR-ingMOSFETfor12V(typical)Busin-RushCurrent	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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K5302	文件：93.51 Kbytes Page：6 Pages	AntistaticRingBinder	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
KSC5302D	文件：101.85 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltageHighSpeedPowerSwitchApplication •HighBreakdownVoltage:BVCBO=800V •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperation •SuitableforhalfbridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespread	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSC5302DI	文件：98.02 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication HighVoltage&HighSpeedPowerSwitchApplication •Built-inFree-wheelingDiodemakesefficientantisaturationoperationSuitableforhalf-bridgelightballastApplications •NoneedtointerestanhFEvaluebecauseoflowvariablestorage-timespreadeventhoughcornerspirit •Lowbase	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRFH5302DTRPBF
功能描述：
MOSFET 20V DUAL N/P CH 2.5mOhms 26nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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