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IRFF110	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMEL POWER MOSFETs TO-39 PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFF110	文件：328.66 Kbytes Page：7 Pages	3.5A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF110	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	Power MOS Field-Effect Transistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF110	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFG110	文件：221.22 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFG110	文件：26.09 Kbytes Page：2 Pages	14LEADDUALINLINEQUAD	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFG110	文件：273.04 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFG110	文件：273.04 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110	文件：244.59 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderin	IRF International Rectifier	IRF
IRFL110	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •SurfaceMount •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFF110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 3.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET 100V 3.5A TO-20
功能描述：
MOSFET N TO-39
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 3.5A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.5A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
600mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRFF110	INTERSIL	24+	TO-39	1931		询价
深圳市星佑电子有限公司	IRFF110	HAR	06+	原厂原装	4244	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRFF110	IOR	24+	CAN3	5000	原装现货假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFF110	HARRIS	23+	CAN3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRFF110	HAR	23+	CAN	13550	优势库存	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFF110	GESS	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFF110	IR	24+	SMD	4	“芯达集团”专营军工百分之百原装进口	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	IRFF110	IR	21+	CAN3	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	IRFF110	IR	23+		65480		询价

更多IRFF110供应商更新时间2025-7-18 16:30:00

详细参数

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