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IRFD9120PBF	文件：1.87503 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertiablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombina	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD9120PBF	文件：1.0209 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
9120	文件：86.3 Kbytes Page：1 Pages	INSTRUMENTATIONHANDLES	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
9120A	文件：800.12 Kbytes Page：3 Pages	ProgrammableDCPowerSupplies	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
9120A	文件：441.69 Kbytes Page：8 Pages	40A200VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9120GH	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
9120GJ	文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AOP-9120	文件：683.25 Kbytes Page：2 Pages	12.1??IntelAtomProcessor-BasedOperatorPanelPC	AAEONAAEON Technology 研华科技研华科技股份有限公司	AAEON
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AW9120	文件：1.6994 Mbytes Page：33 Pages	20ProgrammableLEDDriver	AWINICAWINIC 艾为	AWINIC

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详细参数

型号：
IRFD9120PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFD9120PBF供应商更新时间2024-4-28 18:06:00

详细参数

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