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IRFF430	文件：325.25 Kbytes Page：7 Pages	2.75A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF430	文件：133.05 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF430	文件：23.73 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNEL ENHANCEMENT FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF430	文件：96.08 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET FEATURES •AVALANCHEENERGYRATED •HERMETICALLYSEALED •DYNAMICdv/dtRATING •SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFR430A	文件：118.1 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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详细参数

型号：
IRFF430
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 500V 2.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 500 V 25 W 29.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
功能描述：
N CH MOSFET, 500V, 2.5A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
2.5A; Drain Source Voltage
Vds：
500V; On Resistance
Rds(on)：
1.5ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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详细参数

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