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IRFD9010	文件：453.91 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP? HEXFET®TRANSISTORSP-CHANNELHEXDIP™ 1-WATTTRATEDPOWERMOSFETsINA4-PIN,DUAL-IN-LINEPACKAGE FEATURES ■ForAutomaticInsertion ■Compact,EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasyParalleled ■ExcellentTemperatureStability ■P-ChannelVersatility	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9010	文件：134.89 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. FEATURES •ForAutomatic	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010	文件：308.04 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFR9010	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010PBF	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010PBF	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010TRLPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010TRPBF	文件：1.02823 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IRFD9010
功能描述：
MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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