IRFD9010中文资料HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP™数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFD9010
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
20 |
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24+ |
N/A |
51000 |
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SILICONIXVISHAY |
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IR |
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DIP-4 |
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na |
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IR |
NEW |
DIP-4 |
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Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
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IR |
23+ |
DIP-4 |
7000 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER |
2023+ |
SMD |
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IR |
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DIP-4 |
10000 |
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