IRFD9010中文资料HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP™数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFD9010
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
20 |
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询价 | |||
SILICONIXVISHAY |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
25+ |
DIP-4 |
571 |
全新原装正品支持含税 |
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SILICONIXVISHAY |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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IR |
24+ |
HD-1 |
5000 |
询价 | |||
IR |
25+ |
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18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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VishayPCS |
新 |
1826 |
全新原装 货期两周 |
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INTERNATIONA |
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原厂原装 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP4 |
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