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IRFD120中文资料HEXFET® Power MOSFET (VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ω, ID = 1.3 A)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFD120

功能描述

HEXFET® Power MOSFET (VDSS = 100V, RDS(on) = 0.27 Ω, ID = 1.3 A)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 9:38:00

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技术参数

  • 型号:

    IRFD120

  • 功能描述:

    MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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