IRFD213中文资料(IRFD210 - IRFD213) N Channel Power MOSFETs数据手册Renesas规格书
技术参数
- 型号：
IRFD213
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
22+ |
4DIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
DIP-4 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
MOT |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
MOT |
06+ |
原厂原装 |
4227 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
DIP-4 |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
25+ |
DIP-4 |
601 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
IR |
NEW |
HEXDIP |
19526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
Vishay |
NEW- |
MOSFETs |
100000 |
Trans MOSFET N-Ch 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIP-4 |
7000 |
询价 |
