IRFD213数据手册Renesas中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRFD213
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
2467 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
01+ |
DIP-4 |
14600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
21+ |
DIP-4 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
22+ |
DIP-4 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIP-4 |
13500 |
询价 | |||
IR |
23+ |
HEXDIP |
19526 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
22+ |
4DIP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
SOLID |
新 |
30 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
DIP-4 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
MOT |
23+ |
65480 |
询价 |
