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IRFD123PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • For Automatic Insertion

文件:1.73655 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFD123PBF

Power MOSFET

文件:934.95 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

LM123

3-Amp, 5-Volt Positive Regulator

文件:203.43 Kbytes 页数:8 Pages

NSC

国半

LM123K

3-Amp, 5-Volt Positive Regulator

文件:203.43 Kbytes 页数:8 Pages

NSC

国半

LM123K-STEEL

3-Amp, 5-Volt Positive Regulator

文件:203.43 Kbytes 页数:8 Pages

NSC

国半

详细参数

  • 型号:

    IRFD123PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
2427+
DIP
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VishayVishay
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Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP
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更多IRFD123PBF供应商 更新时间2026-7-22 17:23:00