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IRFBE30	文件：167.56 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa	IRF International Rectifier	IRF
IRFBE30	文件：1.96556 Mbytes Page：7 Pages	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50W.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. FEATURES •Dynam	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFBE30	文件：296.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFBE30	文件：585.44 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30	文件：1.45144 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30	文件：1.60026 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30L	文件：473.61 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa	IRF International Rectifier	IRF
IRFBE30L	文件：1.20346 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30L	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare R	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFBE30LPBF	文件：588.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ODynamicdv/dtRating ORepetitiveAvalancheRated OFastSwitching OEaseofPa	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFBE30
功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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