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IRFBC40LC

IR原厂原装

3701

06+

只做全新原装真实现货供应

深圳市川科科技有限公司

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IRFBC40LC

VISHAY-威世TO-220-3

78800

24+25+/26+27+
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

京海半导体(深圳)有限公司

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VBTO-220AB

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IRSOT-2588&NBS

4500

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-220

30000

25+

全新原装现货,价格优势

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC40LC

Vishay SiliconixTO2203

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

30000

25+

全新原装现货 价格优势

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-220

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRTO-220

7000

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRTO-220

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

万三科技(深圳)有限公司

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IRFBC40LC

IR(国际整流器)封装

500000

25+
1+
：￥0.001

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市华斯顿科技有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

27722

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

瀚佳科技(深圳)有限公司

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IRFBC40LC

IR/VISH

65230

24+

深圳市莱克讯科技有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

6896

最新

原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

深圳市一线半导体有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

20

24+

深圳市联世界科技有限公司

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IRFBC40LC

IR

6200

24+/25+

原装正品现货库存价优

中天科工半导体（深圳）有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

38560

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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IRFBC40LC

VISHAY/威世TO-220

8635

26+
1+
：￥3.6

一级代理优势现货,全新正品直营店

深圳市威雅利发展有限公司

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IRFBC40LC

IRTO-220

5000

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRFBC40LC

VISHAY/威世TO-220

32500

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IRFBC40LCPBF价格

IRFBC40LCPBF价格：￥5.8356品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBC40LCPBF多少钱，想知道IRFBC40LCPBF价格是多少？参考价：￥5.8356。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBC40LCPBF批发价格及采购报价，IRFBC40LCPBF销售排行榜及行情走势，IRFBC40LCPBF报价。

IRFBC40LC中文资料Alldatasheet PDF

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IRFBC40LC功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCS功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBC40LCSPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBC40LCSTRL功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFBC40LCSTRR功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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