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IRFBC40LC	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements 文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40LC	文件：176.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET HEXFET Power MOSFET(Vdss=600V/ Rds(on)=1.2ohm/ Id=6.2A) 文件：176.22 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBC40LC	文件：285.8 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：285.8 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40LCPBF	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional Power MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements 文件：148.34 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40LC_V01	文件：285.8 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：285.8 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40LCPBF	文件：285.8 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：285.8 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBC40LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET • Ultra low gate charge\n• Reduced gate drive requirement\n• Enhanced 30 V, VGS rating;	Vishay 威世	Vishay
IRFBC40LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET-R POWER MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFBC40LCPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRFBC40LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBC40LC供应商更新时间2026-4-21 9:10:00

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