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IRN/A

70000

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深圳市联世界科技有限公司

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VISHAY

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TO-263-3 (D2PAK)

海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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VISHAY公司现货

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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VISHAY/威世NA

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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VISHAY/威世TO-263

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深圳市胜彬电子有限公司

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IRD2-PAK

8000

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深圳市威雅利发展有限公司

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IRTO-263

37

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRTO-263

10000

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IRD2-PAK

12888

2022+

原厂代理 终端免费提供样品

深圳市河锋鑫科技有限公司

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-263

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市弘为电子有限公司

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IRFBF20S

IR原厂封装

5000

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原装现货假一罚十

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRFBF20S

IRTO-263

50000

23+

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深圳市信科微科技有限公司

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IRFBF20S

VISHAYTO-263

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26+

原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单

深圳市盈慧通电子有限公司

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IRFBF20S

VISHAYTO-263

1437

26+

电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！

深圳市勤思达科技有限公司

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IRD2-Pak

12500

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全新原装,现货库存长期供应

艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRFBF20S

IRD2-PAK

100500

2447

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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IRFBF20STRLPBF价格

IRFBF20STRLPBF价格：￥2.8941品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRFBF20STRLPBF多少钱，想知道IRFBF20STRLPBF价格是多少？参考价：￥2.8941。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBF20STRLPBF批发价格及采购报价，IRFBF20STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFBF20STRLPBF报价。

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IRFBF20S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBF20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBF20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBF20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBF20STRR功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFBF20STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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