| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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VISHAY公司现货 |
6800 |
24+ |
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5年
留言
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VISHAY |
3200 |
12+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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5年
留言
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IRD2-PAK |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
80 |
23+ |
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6年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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17年
留言
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IORTO263 |
230 |
24+ |
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16年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
1400 |
26+ |
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专注全新正品,优势现货供应 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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16年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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3年
留言
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VISHAYTO-263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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18年
留言
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INTERNATIONA原厂原装 |
4416 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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9年
留言
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ADTO263 |
3000 |
25+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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14年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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1年
留言
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VISHAYTO-263 |
1437 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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1年
留言
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VISHAYTO-263 |
1437 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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IRFBF20S图片
IRFBF20STRLPBF价格
IRFBF20STRLPBF价格:¥2.8941品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBF20STRLPBF多少钱,想知道IRFBF20STRLPBF价格是多少?参考价:¥2.8941。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFBF20STRLPBF批发价格及采购报价,IRFBF20STRLPBF销售排行榜及行情走势,IRFBF20STRLPBF报价。
IRFBF20S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBF20S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRR功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























