| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
100 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61234 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
800 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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3200 |
12+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
3200 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司2年
留言
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VISHAY公司现货 |
6800 |
20+ |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
3200 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRD2-PAK |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
89733 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
89733 |
22+ |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
37 |
04+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
5000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
37 |
04+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
IRFBF20S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBF20S图片
IRFBF20STRLPBF价格
IRFBF20STRLPBF价格：￥2.8941品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBF20STRLPBF多少钱，想知道IRFBF20STRLPBF价格是多少？参考价：￥2.8941。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBF20STRLPBF批发价格及采购报价，IRFBF20STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFBF20STRLPBF报价。
IRFBF20S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBF20S功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRL功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRR功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBF20STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
