IRFBE20数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRFBE20
- 功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
09+ |
TO-220 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
65480 |
询价 | |||
IR |
00+ |
TO-220 |
2685 |
询价 | |||
IR |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
VISHAY |
25+23+ |
TO-263 |
28022 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
2685 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
98 |
询价 | |||
IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
