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IRFBG20	文件：1.08993 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipat 文件：1.08993 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBG20	文件：384.26 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：384.26 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBG20	文件：169.58 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) HEXFET® Power MOSFET • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements 文件：169.58 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFBG20	文件：517.919 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：517.919 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBG20	文件：328.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：328.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFBG20_V01	文件：384.26 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are RoH 文件：384.26 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBG20PBF	文件：637.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET HEXFET® Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Lead-Free 文件：637.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBG20PBF	文件：1.08993 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipat 文件：1.08993 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFBG20_17	文件：517.919 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：517.919 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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详细参数

型号：
IRFBG20
功能描述：
MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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