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IRFBG20PBF-BE3

Power MOSFET

文件:384.26 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFBG20

Power MOSFET

• Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Fast switching;

Vishay

威世科技

IRFBG20

Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFBG20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFBG20供应商 更新时间2025-10-4 11:03:00