IRFBE30数据手册Infineon中文资料规格书
IRFBE30规格书详情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.O Dynamic dv/dt Rating
O Repetitive Avalanche Rated
O Fast Switching
O Ease of Paralleling
O Simple Drive Requirements
技术参数
- 型号：
IRFBE30
- 功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
30000 |
公司新到进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
55 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
9600 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
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TO-220AB |
18000 |
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询价 | ||
VISH |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
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询价 | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
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询价 |
