| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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2600 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世D2PAK |
4480 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)D2PAK(TO-263AB) |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
2400 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)D2PAK(TO-263AB) |
58282 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYD2PAK |
300 |
2049+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5587 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IR(国际整流器)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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AOTO252 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO263 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRD2-PAK |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
IRFBE30S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFBE30S图片
IRFBE30SPBF价格
IRFBE30SPBF价格：￥10.3326品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFBE30SPBF多少钱，想知道IRFBE30SPBF价格是多少？参考价：￥10.3326。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFBE30SPBF批发价格及采购报价，IRFBE30SPBF销售排行榜及行情走势，IRFBE30SPBF报价。
IRFBE30S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFBE30S功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFBE30STRL功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE30STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFBE30STRR功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
